极紫外光刻 (EUVL)

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rubinaruma
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极紫外光刻 (EUVL)

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极紫外光刻 (EUVL)是一种使用 13.5 nm 光源的先进技术,是 22 nm及以上光刻节点的主要候选技术。 EUV 光刻技术目前正处于试验阶段,在芯片制造工厂使用 0.33-NA 工具。预计在不久的将来实现大规模生产。

EUV 光刻使用等离子体源工具生成 13.5 nm 光子,
图案从反射掩模转移到涂有称为光刻胶的光敏材料的基板上。真空图案化技术出现在全反射光学配置中。用更小的印刷元件制作集成电路。 32纳米。


EUV 光从等离子体收集到收集器中,收集器将光引导 巴拿马电报号码数据库 到称为“照明光学器件”的光学器件中。灯光照亮了光罩。照明光学器件包括多层镀膜常频镜和掠频镜。

IV 掩模 是6英寸见方、1/4英寸厚的低热膨胀材料,具有多层反射涂层和蚀刻到电路层中的吸收层。 EUV掩模的反射图像进入投影光学器件,该投影光学器件包括六个或更多多层反射镜并且NA>0.25。

最终图像聚焦在涂有光敏或光敏抗蚀剂的硅晶片上。该系统在低碳氢化合物、高真空环境中运行

需要克服的众多挑战包括开发具有成本效益的光源基础设施、抗蚀剂和掩模以及光刻工具

电阻材料必须同时具有高分辨率、高灵敏度、低线边缘粗糙度 (LER) 和低释气。​

EUV光刻市场预计将从2018年的29.8亿美元增长到2023年的103.1亿美元,复合年增长率为28.16% 。
EUVL 的一个主要障碍是需要高功率光源来照亮光敏电阻。 ASML导航设备具有250W辐射 功率并能够产生450W辐射。
EUVL 的另一个挑战是所有材料对 EUV 辐射的强烈吸收。 EUV 抗蚀剂的结构是 在抗蚀剂表面印刷非常薄的成像层。此外,EUV 光刻胶材料也必须随着光源技术即将发展而发展 。
EUV 之外的下一代光刻包括 X 射线光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻和纳米图 光刻。纳米压印之所以能够使 EUV 取得成功,是因为其固有的简单性和较低的操作成本,以及它在 LED、硬盘 驱动器和微流体领域的成功。
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